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ONSEMI

ONSEMI
Immagine parte # Descrizione fabbricante Stoccaggio RFQ
qualità MC33178DR2G fabbrica

MC33178DR2G

Amplificatori operativi - Amplificatori opzionali da 2 a 18 V a doppia bassa potenza
qualità LM2904DMR2G fabbrica

LM2904DMR2G

Amplificatori operativi - Amplificatori Op 3-26V Dual Lo PWR -40 a 105°C
qualità NCV0372BDWR2G fabbrica

NCV0372BDWR2G

Amplificatori operativi - Amplificatori ANA DUAL PWR OP AMP
qualità NCV2903DMR2G fabbrica

NCV2903DMR2G

IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
qualità CAT24C08WI-GT3 fabbrica

CAT24C08WI-GT3

EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
qualità FDC3601N fabbrica

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
qualità FDS4897C fabbrica

FDS4897C

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
qualità FDS6898A fabbrica

FDS6898A

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
qualità FDC6401N fabbrica

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
qualità FDS4559 fabbrica

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
qualità NTJD4001NT1G fabbrica

NTJD4001NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 0,25A SOT-363
qualità FDC6312P fabbrica

FDC6312P

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
qualità FDC6305N fabbrica

FDC6305N

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
qualità FDC6420C fabbrica

FDC6420C

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
qualità NTS4101PT1G fabbrica

NTS4101PT1G

MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
qualità FQD7P20TM fabbrica

FQD7P20TM

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
qualità LL4148 fabbrica

LL4148

GEN PURP 100V 200MA SOD80 del DIODO
qualità NSVR1020MW2T1G fabbrica

NSVR1020MW2T1G

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
qualità NRVA4004T3G fabbrica

NRVA4004T3G

DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
qualità ES3J fabbrica

ES3J

DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
qualità BAS16XV2T1G fabbrica

BAS16XV2T1G

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523
qualità 1N4148WT fabbrica

1N4148WT

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F
qualità ES1JFL fabbrica

ES1JFL

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
qualità ES2D fabbrica

ES2D

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
qualità 1N4148WS fabbrica

1N4148WS

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F
qualità BAV23CLT1G fabbrica

BAV23CLT1G

DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
qualità 1SMB5920BT3G fabbrica

1SMB5920BT3G

DIODE ZENER 6.2V 3W SMB
qualità MM3Z18VT1G fabbrica

MM3Z18VT1G

DIODE ZENER 18V 300MW SOD323
qualità 1N5342BRLG fabbrica

1N5342BRLG

DIODE ZENER 6,8V 5W AXIALE
qualità 1N4746A fabbrica

1N4746A

DIODE ZENER 18V 1W DO41
qualità 1N4744A fabbrica

1N4744A

DIODE ZENER 15V 1W DO41
qualità NSVDTA114EET1G fabbrica

NSVDTA114EET1G

Trans Prebias PNP 50V 100MA SC75
qualità MMUN2233LT1G fabbrica

MMUN2233LT1G

Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
qualità MMUN2132LT1G fabbrica

MMUN2132LT1G

Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
qualità MMUN2113LT1G fabbrica

MMUN2113LT1G

Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
qualità DTC114YET1G fabbrica

DTC114YET1G

Trans Prebias NPN 50V 100MA SC75
qualità MUN5235DW1T1G fabbrica

MUN5235DW1T1G

qualità NSVMUN5312DW1T2G fabbrica

NSVMUN5312DW1T2G

qualità SMUN5211DW1T1G fabbrica

SMUN5211DW1T1G

qualità NCV1413BDR2G fabbrica

NCV1413BDR2G

Trans 7NPN DARL 50V 0,5A 16SOIC
qualità NVD5C684NLT4G fabbrica

NVD5C684NLT4G

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
qualità NTMFS5C628NLT1G fabbrica

NTMFS5C628NLT1G

MOSFET N-CH 60V 5DFN
qualità FDP032N08 fabbrica

FDP032N08

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
qualità MMBFJ309LT1G fabbrica

MMBFJ309LT1G

RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
qualità LM2904ADMR2G fabbrica

LM2904ADMR2G

IC OPAMP GP 2 CIRCUITO 8MSOP
qualità MC33072ADR2G fabbrica

MC33072ADR2G

CIRCUITO 8SOIC DI IC OPAMP JFET 2
qualità MC34072DR2G fabbrica

MC34072DR2G

CIRCUITO 8SOIC DI IC OPAMP JFET 2
qualità MC33074DR2G fabbrica

MC33074DR2G

CIRCUITO 14SOIC DI IC OPAMP JFET 4
qualità MC33202VDR2G fabbrica

MC33202VDR2G

CIRCUITO 8SOIC DEL GP 2 DI IC OPAMP
qualità MC33072DR2G fabbrica

MC33072DR2G

CIRCUITO 8SOIC DI IC OPAMP JFET 2
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