MMUN2113LT1G
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 MA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
PNP - Pregiudicato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Resistenza - Base (R1):
47 kOhms
Mfr:
ONSEMI
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
246 Mw
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
80 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
MMUN2113
Introduzione
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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