Specificità
Categoria di prodotto:
MOSFET
Vgs (Max):
±30V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
5.7A (TC)
@ qty:
0
Tipo di FET:
P-Manica
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
25nC @ 10V
Produttore:
ONSEMI
Quantità minima:
2500
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Factory Stock:
0
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica del FET:
-
Serie:
QFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
770pF @ 25V
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-PAK
Status della parte:
Attivo
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
690 mOhm @ 2,85A, 10V
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Evidenziare:
Semiconductor IC FQD7P20TM
,FQD7P20TM power MOSFET
,FQD7P20TM electronic component
Introduzione
La FQD7P20TM,di onsemi,è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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