NSVDTA114EET1G
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori bipolari singoli, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 MA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
PNP - Pregiudicato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SC-75, SOT-416
Resistenza - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
ONSEMI
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
10 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
200 mW
Confezione / Cassa:
SC-75, SOT-416
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
35 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
NSVDTA114
Introduzione
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) PNP - Pre-biasato 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Prodotti correlati
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MOSFET a doppia inversione ad alta velocità semiconduttore IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Immagine | parte # | Descrizione | |
---|---|---|---|
![]() |
MOSFET a doppia inversione ad alta velocità semiconduttore IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: