IRFU120PBF
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 7,7A TO251AA
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-251-3 brevi cavi, IPak, TO-251AA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
16 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
270 mOhm @ 4,6A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
360 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-251AA
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
7.7A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 42W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
IRFU120
Introduzione
N-canale 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) attraverso foro TO-251AA
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