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IRFBE30SPBF

Name: IRFBE30SPBF
Brand: WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED
Availability: InStock

fabbricante:

Vishay Siliconix

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Categoria:

Semiconduttore IC

Specificità

Categoria:

Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET

Caratteristica del FET:

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 250µA

Temperatura di funzionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Confezione / Cassa:

TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

78 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

3 Ohm @ 2,5 A, 10 V

Tipo di FET:

Canale N

Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):

10V

Pacco:

Tubo

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

800 V

Vgs (Max):

± 20V

Status del prodotto:

Attivo

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

1300 PF @ 25 V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Serie:

Confezione del dispositivo del fornitore:

D²PAK (TO-263)

Mfr:

Vishay Siliconix

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

4.1A (TC)

Dissipazione di potere (massima):

125W (TC)

tecnologia:

MOSFET (ossido di metallo)

Numero del prodotto di base:

IRFBE30

Introduzione

N-Canale 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Supporto di superficie D2PAK (TO-263)

Tag:

i conducenti dei semi-portelli,

Accelerometro,

rilevatore di movimento

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