SQM100P10-19L_GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
350 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
19mOhm @ 30A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
14100 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
93A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
375W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SQM100
Introduzione
P-Canale 100 V 93A (Tc) 375W (Tc) Montatura di superficie TO-263 (D2Pak)
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