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SIHB24N80AE-GE3

Name: SIHB24N80AE-GE3
Brand: WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED
Availability: InStock

fabbricante:

Vishay Siliconix

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK

Categoria:

Semiconduttore IC

Specificità

Categoria:

Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET

Tipo di FET:

Canale N

Caratteristica del FET:

Status del prodotto:

Attivo

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Pacco:

Tubo

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 250µA

Serie:

Vgs (Max):

±30V

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

89 nC @ 10 V

Confezione del dispositivo del fornitore:

D²PAK (TO-263)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

184 mOhm @ 10A, 10V

Mfr:

Vishay Siliconix

Temperatura di funzionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

1836 pF @ 100 V

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

800 V

Dissipazione di potere (massima):

208W (TC)

Confezione / Cassa:

TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

21A (TC)

tecnologia:

MOSFET (ossido di metallo)

Numero del prodotto di base:

SIHB24

Introduzione

N-Canale 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263)

Tag:

i conducenti dei semi-portelli,

Accelerometro,

rilevatore di movimento

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