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SQ2348ES-T1_GE3

fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 12A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
540 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
3W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SQ2348
Introduzione
N-canale 30 V 8A (Tc) 3W (Tc) Montatura di superficie SOT-23-3 (TO-236)
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