SI7431DP-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
135 nC @ 10 V
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
TrenchFET®
Vgs (Max):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
174 mOhm @ 3,8A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Dissipazione di potere (massima):
1,9 W (Ta)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.2A (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI7431
Introduzione
P-Channel 200 V 2.2A (Ta) 1.9W (Ta) Montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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