SIR182DP-T1-RE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.6V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
64 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.8mOhm @ 15A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
7.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
3250 pF @ 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET® Gen IV
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
60A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
69.4W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SIR182
Introduzione
N-canale 60 V 60 A (Tc) 69,4 W (Tc) Superficie di montaggio PowerPAK® SO-8
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