SI4056ADY-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Tipo di FET:
Canale N
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Serie:
TrenchFET®
Vgs (Max):
± 20V
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29.2mOhm @ 5,9A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 50 V
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Confezione / Cassa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI4056
Introduzione
N-canale 100 V 5.9A (Ta), 8.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Superficie montata 8-SOIC
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