SUM110P06-08L-E3
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 30A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
9200 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
110A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
3.75W (Ta), 272W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SUM110
Introduzione
P-Canale 60 V 110A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Montatura di superficie TO-263 (D2Pak)
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MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Immagine | parte # | Descrizione | |
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![]() |
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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IRFBE30SPBF |
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