IRFL210TRPBF
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-261-4, TO-261AA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
8.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.5 Ohm @ 580mA, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
140 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-223
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
960mA (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
2W (Ta), 3,1W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
IRFL210
Introduzione
N-Canale 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Montatura di superficie SOT-223
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