IRFR214TRPBF
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
8.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2 Ohm @ 1.3A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
250 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
140 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-PAK
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.2A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 25W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
IRFR214
Introduzione
N-canale 250 V 2.2A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Superficie montata D-Pak
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