SI2333DS-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
1.8V, 4.5V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1100 pF @ 6 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.1A (Ta)
Dissipazione di potere (massima):
750 mW (Ta)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI2333
Introduzione
P-Canale 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Montatura superficiale SOT-23-3 (TO-236)
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