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SIHB22N60ET1-GE3

Name: SIHB22N60ET1-GE3
Brand: WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED
Availability: InStock

fabbricante:

Vishay Siliconix

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Categoria:

Semiconduttore IC

Specificità

Categoria:

Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET

Caratteristica del FET:

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 250µA

Temperatura di funzionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Confezione / Cassa:

TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

86 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

180 mOhm @ 11A, 10V

Tipo di FET:

Canale N

Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):

10V

Pacco:

Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

600 V

Vgs (Max):

±30V

Status del prodotto:

Attivo

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

1920 pF @ 100 V

Tipo di montaggio:

Montaggio superficiale

Serie:

Confezione del dispositivo del fornitore:

D²PAK (TO-263)

Mfr:

Vishay Siliconix

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

21A (TC)

Dissipazione di potere (massima):

227W (TC)

tecnologia:

MOSFET (ossido di metallo)

Numero del prodotto di base:

SIHB22

Introduzione

N-canale 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Supposizione di superficie D2PAK (TO-263)

Tag:

i conducenti dei semi-portelli,

Accelerometro,

rilevatore di movimento

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	Immagine	parte #	Descrizione
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