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IRF840STRLPBF

fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
850 mOhm @ 4,8A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
500 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1300 PF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
3.1W (Ta), 125W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
IRF840
Introduzione
N-Manica 500 V 8A (TC) 3.1W (tum), 125W (TC) ² PAK (TO-263) del supporto D della superficie
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