IRFB9N60APBF
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
49 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
9.2A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
170W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
IRFB9N60
Introduzione
N-canale 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) attraverso il foro TO-220AB
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