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SQ3418EV-T1_GE3

fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
12.7 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
32mOhm @ 5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
678 pF @ 20 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
6-TSOP
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
5W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SQ3418
Introduzione
N-canale 40 V 8A (Tc) 5W (Tc) Superficie montata 6-TSOP
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Stoccaggio:
MOQ: