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SQJ147ELP-T1_GE3

fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Tipo di FET:
P-Manica
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, TrenchFET®
Vgs (Max):
± 20V
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
120 nC @ 10 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
12.5mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5500 pF @ 25 V
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Dissipazione di potere (massima):
183W (Tc)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
90A (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SQJ147
Introduzione
P-Channel 40 V 90A (Tc) 183W (Tc) Superficie di montaggio PowerPAK® SO-8
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Stoccaggio:
MOQ: