SISS42LDN-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® 1212-8S
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14.9mOhm @ 15A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
2058 pF @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET® Gen IV
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® 1212-8S
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
11.3A (Ta), 39A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
4.8W (Ta), 57W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SISS42
Introduzione
N-canale 100 V 11.3A (Ta), 39A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
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