SQS481ENW-T1_GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® 1212-8
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.095 Ohm @ 5A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
385 pF @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.7A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
62.5W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SQS481
Introduzione
P-Channel 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Superficie di montaggio PowerPAK® 1212-8
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