SIHG018N60E-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
228 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 25A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
7612 pF @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
E
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
99A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
524W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SIHG018
Introduzione
N-canale 600 V 99A (Tc) 524W (Tc) attraverso foro TO-247AC
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