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IRFD110PBF

Name: IRFD110PBF
Brand: WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED
Availability: InStock

fabbricante:

Vishay Siliconix

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Categoria:

Semiconduttore IC

Specificità

Categoria:

Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET

Caratteristica del FET:

Vgs(th) (Max) @ Id:

4V @ 250µA

Temperatura di funzionamento:

-55°C ~ 175°C (TJ)

Confezione / Cassa:

4 DIP (0,300", 7,62 mm)

Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:

8,3 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

540mOhm @ 600mA, 10V

Tipo di FET:

Canale N

Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):

10V

Pacco:

Tubo

Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):

100 V

Vgs (Max):

± 20V

Status del prodotto:

Attivo

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:

180 pF @ 25 V

Tipo di montaggio:

Attraverso il buco

Serie:

Confezione del dispositivo del fornitore:

4-HVMDIP

Mfr:

Vishay Siliconix

Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:

1A (tum)

Dissipazione di potere (massima):

1.3W (tum)

tecnologia:

MOSFET (ossido di metallo)

Numero del prodotto di base:

IRFD110

Introduzione

N-canale 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) attraverso foro 4-HVMDIP

Tag:

i conducenti dei semi-portelli,

Accelerometro,

rilevatore di movimento

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