SQ4401EY-T1_GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
115 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 10,5A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4250 pF @ 20 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
17.3A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
7.14W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SQ4401
Introduzione
P-canale 40 V 17.3A (Tc) 7.14W (Tc) Superficie montata 8-SOIC
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