SI7465DP-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
TrenchFET®
Vgs (Max):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
64 mOhm @ 5A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Dissipazione di potere (massima):
1.5W (tum)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
3.2A (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI7465
Introduzione
P-Canale 60 V 3.2A (Ta) 1.5W (Ta) Montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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