SI9407BDY-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 3.2A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
600 pF @ 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.7A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
2.4W (Ta), 5W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI9407
Introduzione
P-canale 60 V 4,7A (Tc) 2,4W (Ta), 5W (Tc) Superficie montata 8-SOIC
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