SI2356DS-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
51 mOhm @ 3.2A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±12V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
370 pF @ 20 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.3A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
960 mW (Ta), 1,7 W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI2356
Introduzione
N-Canale 40 V 4.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Montatura di superficie SOT-23-3 (TO-236)
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