SQJ182EP-T1_GE3
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
L'indicatore di potenza di sorveglianza deve essere conforme alle prescrizioni del punto 6.2.3.
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5392 pF @ 25 V
Serie:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Vgs (Max):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Dissipazione di potere (massima):
395W (Tc)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SO-8
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
210A (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Caratteristica del FET:
-
Introduzione
N-canale 80 V 210A (Tc) 395W (Tc) Montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
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