SI2337DS-T1-E3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
270 mOhm @ 1,2A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
500 pF @ 40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.2A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
760 mW (Ta), 2,5 W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SI2337
Introduzione
P-canale 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Montatura superficiale SOT-23-3 (TO-236)
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