SIA456DJ-T1-GE3
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fabbricante:
Vishay Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
PowerPAK® SC-70-6
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.38 Ohm @ 750mA, 4,5 V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
1.8V, 4.5V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±16V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
350 pF @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
TrenchFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerPAK® SC-70-6
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.6A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
SIA456
Introduzione
N-canale 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6
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