70V24L20PFGI8
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Circuiti integrati (CI)
Memoria
Memoria
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
DigiKey programmabile:
Non verificato
Interfaccia della memoria:
Parallelamente
Scrivere il tempo del ciclo - parola, pagina:
20ns
Confezione del dispositivo del fornitore:
100 TQFP (14x14)
Tipo di memoria:
Volatile
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Dimensione della memoria:
64Kbit
Voltaggio - Fornitura:
3V ~ 3,6V
Tempo di accesso:
20 ns
Confezione / Cassa:
100-LQFP
Organizzazione della memoria:
4K x 16
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
tecnologia:
SRAM - doppia porta, asincrona
Numero del prodotto di base:
70V24
Formato di memoria:
SRAM
Introduzione
SRAM - doppia porta, memoria asincrona IC 64Kbit parallelo 20 ns 100-TQFP (14x14)
Prodotti correlati
HSM221CTL
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
HZS30NB2TD-E
DIODE ZENER 0.4W
RJK0653DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
RJK0346DPA-00#J0
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
RJK0351DPA-02#J0
N-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03B9DPA-00#J53
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
RJK03D0DNS-00#J5
POWER MOSFET
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
CR02AM-8#BD0
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
23S08T-1DCG8
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
|
|
|
|
HZS30NB2TD-E |
DIODE ZENER 0.4W
|
|
|
|
RJK0653DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
|
|
|
|
RJK0346DPA-00#J0 |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
|
|
|
|
RJK0351DPA-02#J0 |
N-CHANNEL POWER MOSFET
|
|
|
|
RJK03B9DPA-00#J53 |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
|
|
|
|
RJK03D0DNS-00#J5 |
POWER MOSFET
|
|
|
|
RJK0651DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
|
|
|
|
CR02AM-8#BD0 |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
|
|
|
|
23S08T-1DCG8 |
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
|
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:
