RJK03B9DPA-00#J53
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fabbricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Tipo di FET:
Canale N
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Altri prodotti
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Serie:
-
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
7,4 nC @ 4,5 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-WPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.6mOhm @ 15A, 10V
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1110 pF @ 10 V
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Dissipazione di potere (massima):
25W (TC)
Confezione / Cassa:
8-PowerWDFN
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
30A (Ta)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Caratteristica del FET:
-
Introduzione
N-canale 30 V 30 A (Ta) 25 W (Tc) Montatura superficiale 8-WPAK
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