RJK0651DPB-00#J5
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fabbricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
SC-100, SOT-669
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
15 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 12.5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
2030 pF @ 10 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
LFPAK
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
25A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
45W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
RJK0651
Introduzione
N-canale 60 V 25A (Ta) 45W (Tc) Montatura di superficie LFPAK
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