RS1J
fabbricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli
Status del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 1 A
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AC (SMA)
Tempo di recupero inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RS1J
Evidenziare:
Circuito integrato a semiconduttore RS1J
,Circuito integrato a diodo RS1J
,Componente elettronico RS1J
Introduzione
Diodo 600 V 1A di montaggio di superficie DO-214AC (SMA)
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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ES1J |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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S3BB |
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