ES1JFL
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fabbricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli
Status del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 1 A
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOD-123F
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SOD-123F
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
ES1J
Introduzione
Diodo 600 V 1A Supporto di superficie SOD-123F
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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RS1J |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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ES1J |
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