STGWA25H120DF2
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
Transistor IGBT IGBT e bipolari di potenza
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
250 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
50 A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Pd - Dissipazione di potenza:
375 W
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
20 V
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,5 V
Produttore:
STMicroelettronica
Evidenziare:
STGWA25H120DF2 IGBT semiconductor
,STGWA25H120DF2 power module
,STGWA25H120DF2 IC with warranty
Introduzione
Lo STGWA25H120DF2, di STMicroelectronics, è IGBT Transistor. quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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