STGWA60H65DFB
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
250 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
80 A
Pd - Dissipazione di potenza:
375 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
650 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2 V
Produttore:
STMicroelettronica
Evidenziare:
STGWA60H65DFB semiconduttore IC
,Modulo di potenza STGWA60H65DFB
,Transistor IGBT STGWA60H65DFB
Introduzione
Gli STGWA60H65DFB, di STMicroelectronics, sono transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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