STGW39NC60VD
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fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
Transistori IGBT MFT N-CANAL
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+/- 100 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Pd - Dissipazione di potenza:
250 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1.8 V/1.7 V
Produttore:
STMicroelettronica
Introduzione
Il STGW39NC60VD,di STMicroelectronics,è IGBT Transistor.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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