STGW60V60DF
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
IGBT Transistor 600V 60A Porta di trincea ad alta velocità IGBT
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
250 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
80 A
Pd - Dissipazione di potenza:
375 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-247
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,35 V
Produttore:
STMicroelettronica
Evidenziare:
STGW60V60DF power semiconductor IC
,STGW60V60DF high voltage IC
,STGW60V60DF semiconductor with warranty
Introduzione
Lo STGW60V60DF, di STMicroelectronics, è IGBT Transistor. quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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