STGW20NC60VD
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+/- 100 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
60 A
Pd - Dissipazione di potenza:
200 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,5 V
Produttore:
STMicroelettronica
Evidenziare:
STGW20NC60VD IGBT semiconductor
,STGW20NC60VD power IC
,STGW20NC60VD with warranty
Introduzione
Gli STGW20NC60VD, di STMicroelectronics, sono transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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