STGB30H60DFB
fabbricante:
STMicroelettronica
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
+ / - 250 nA
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente di collettore continua a 25 C:
60 A
Pd - Dissipazione di potenza:
260 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
600 V
Confezione / Cassa:
D2PAK-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
+/- 20 V
imballaggio:
Rilo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1,55 V
Produttore:
STMicroelettronica
Evidenziare:
STGB30H60DFB IGBT semiconductor
,STGB30H60DFB power IC
,STGB30H60DFB high voltage IC
Introduzione
Il STGB30H60DFB,di STMicroelectronics,è IGBT Transistor.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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