STW25N80K5
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 100µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
260 mOhm @ 19.5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1600 pF @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
SuperMESH5™
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
19.5A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
250W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STW25
Evidenziare:
STW25N80K5 MOSFET di potenza
,STW25N80K5 circuito integrato a semiconduttore
,STW25N80K5 con garanzia
Introduzione
N-canale 800 V 19.5A (Tc) 250W (Tc) attraverso foro TO-247-3
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