STL160N4F7
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerVDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
29 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.5mOhm @ 16A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
2300 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
StripFETTM F7
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerFlat™ (5x6)
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
120A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
111W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STL160
Evidenziare:
Circuito integrato a semiconduttore STL160N4F7
,MOSFET di potenza STL160N4F7
,Circuito integrato ad alta tensione STL160N4F7
Introduzione
N-canale 40 V 120A (Tc) 111W (Tc) Superficie di montaggio PowerFlatTM (5x6)
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