STF33N60M2
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
45.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
125 mOhm @ 13A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±25V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1781 pF @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
Più di MDmesh™ II
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220FP
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
26A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
35W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STF33
Evidenziare:
MOSFET di potenza STF33N60M2
,Circuito integrato a semiconduttore STF33N60M2
,Transistor ad alta tensione STF33N60M2
Introduzione
N-canale 600 V 26A (Tc) 35W (Tc) attraverso foro TO-220FP
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