STH240N10F7-6
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
160 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.5mOhm @ 60A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
11550 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
StripFETTM F7
Confezione del dispositivo del fornitore:
H2PAK-6
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
180A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
300W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STH240
Evidenziare:
STH240N10F7-6 MOSFET di potenza
,STH240N10F7-6 circuito integrato a semiconduttore
,STH240N10F7-6 componente elettronico
Introduzione
N-canale 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montatura superficiale H2PAK-6
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