STL18N65M2
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 8A potenza HV
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerVDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
21.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
365 mOhm @ 4A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±25V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
764 pF @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
MDmeshTM M2
Confezione del dispositivo del fornitore:
Alta tensione di PowerFlat™ (5x6)
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
57W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STL18
Evidenziare:
MOSFET di potenza STL18N65M2
,Circuito integrato a semiconduttore STL18N65M2
,Transistor ad alta tensione STL18N65M2
Introduzione
N-Canale 650 V 8A (Tc) 57W (Tc) Montaggio superficiale PowerFlatTM (5x6) HV
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