SCTW70N120G2V
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
Trans SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.9V @ 1mA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 50A, 18V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
18V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+22V, -10V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
3540 pF @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
HiP247TM
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
91A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
547W (Tc)
tecnologia:
SiCFET (carburo di silicio)
Numero del prodotto di base:
SCTW70
Evidenziare:
Circuito integrato a semiconduttore SCTW70N120G2V
,Transistor di potenza SCTW70N120G2V
,Circuito integrato ad alta tensione SCTW70N120G2V
Introduzione
N-canale 1200 V 91A (Tc) 547W (Tc) attraverso foro HiP247TM
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