STD13N60DM2
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
365 mOhm @ 5.5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±25V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
730 pF @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
MDmeshTM DM2
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
11A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
110W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STD13
Evidenziare:
STD13N60DM2 power MOSFET
,STD13N60DM2 semiconductor IC
,STD13N60DM2 high voltage transistor
Introduzione
N-canale 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) DPAK di montaggio di superficie
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